汇总

国内外知名刊物上发表的论文    30    篇；出版专著（教材）    部。

获奖或鉴定成果 3 项，其中：国家级    项；部（省）级 3   项；市（厅）级   项。

目前承担科研项目 7 项，其中：国家级 7 项；部（省）级    项；市（厅）级   项。

代表作品或获奖

序号

获奖或鉴定项目、专著（教材）、
论文名称

获奖名称、等级或鉴定单位或发表刊物或出版单位、 时间

本人排名

1

SiC power MOSFET with Monolithically Integrated Schotty Barrier for Improved Switching Performances

PCIM Europe(EI)
2017.05

2

Reliability design of direct liquid cooled power semiconductor module for hybrid and electric vehicles

Microelectronics reliability（SCI）
2016.07

3

全烧结型SiC功率模块封装设计与研制

大功率变流技术
2016.10

4

IGCT器件的光刻技术

半导体技术2007.06

5

Reliability enhancement by integrated liquid cooling in power IGBT modules for hybrid and electric vehicles

Microelectronics reliability(SCI)
2014.09

6

SiC Trench MOSFET with Schielded Fin-Shaped Gate to Reduce Oxide Field and Switching Loss

IEEE Electron Device Letters（SCI）
2016.10

7

Effects of Auxiliary-source Connections in Multichip Power Module

IEEE Transaction on power Electronocs(SCI)
2017.04

8

Integrated liquid cooling automotive IGBT module for high temperature coolant application

PCIM(EI)
2015.05

9

应用于半导体器件钝化的类金刚石膜仿真
模型的建立

大功率变流技术
2016.08

10

IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展

大功率变流技术
2015.04

11

IGBT模块功率损耗的产生机理、计算及模拟

大功率变流技术
2015.04

12

KIc 4000-45非对称型IGCT组件的研究

变流技术与电力牵引
2007.03

13

1100A/4500V逆导型IGCT组件的研究

变流技术与电力牵引2007.05

14

Reliability design for automotive power modules

Power conversion intelligent motion（EI）2015.06

目前承担主要科研项目

序号

项目名称

项目来源

时间

本人角色

1

6500V新型高压高功率芯片工艺开发与产业化

国家科技部

2011年-2014年

课题负责人

2

SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化

国家科技部

2013年-
至今

课题负责人

3

超大功率电力电子器件及系统关键技术研究

国家科技部

2013年-
至今

项目骨干

4

新型超大功率场控电力电子器件的研制及其应用

国家科技部

2014年-
至今

项目骨干

5

国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程

国家科技部

2015年-
至今

芯片技术
指导

6

直流电网装备用压接型IGBT器件研制

国家能源局

2015年-
至今

项目骨干

7

高速列车用IGBT芯片核心关键技术

国家重点研发计划

2018年-
至今

课题负责人

本人所从事的专业领域工作情况简介（专业特长、取得成就、突出应用实践）
    1992年毕业于西安交通大学，资深技术专家，一直从事大功率半导体器件的研究开发，并作出了突出贡献。先后主持了国家科技部（02）“6500V新型高压高功率芯片工艺开发与产业化--IGBT芯片检测和验证”、“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化-- SiC SBD 产品开发”等科技重大专项，核心参与“超大功率电力电子器件及系统关键技术研究”、“新型超大功率场控电力电子器件的研制及其应用、”“直流电网装备用压接型IGBT器件研制”等国际合作、863计划、国家能源局等多个重大项目。目前为国家重点研发计划“高速列车用IGBT芯片核心关键技术”中课题“时速350公里级高速列车6500VIGBT关键技术研究”负责人。
    主持研制出2500V、4500V软恢复快速二极管（FRD）及其系列产品，攻克少子寿命控制难关，较好地折衷了器件的开关特性，做到了开关的既快又软，器件的生产实现完全国产化，为GTO、IGCT等器件提供了性能良好的二极管。作为核心骨干参加3000A4500V GTO器件和4000A4500V IGCT器件的研制，攻克器件的元胞纵向设计、杂质精确扩散和精密光刻等技术难关，先后成功开出国内第一只3000A4500V GTO和4000A4500V IGCT器件，填补国内空白， “KGB3000-45门极可关断晶闸管( GTO)及其系列产品的研究开发与应用”项目获2006年湖南省级科学技术进步二等奖（个人排名第3），“4000A/4500V非对称IGCT器件及配套FRD研制”项目，获得2012年中国电工学会技术进步一等奖（个人排名第5）、2014获湖南省技术发明三等奖（个人排名第2）。参与“牵引传动用高压IGBT研究开发与应用推广”项目，获得2014年中国铁道学会科学技术特等奖。IGCT及配套的FRD在扎钢、船舶和军事等领域，高压IGBT在铁路机车牵引中得到广泛应用，年销售额已经达到了数千万元。2007年-2009年主持提升普通晶闸管的技术性能，根据客户需求开发新产品，优化已有产品的设计和工艺，使产品性能全面达到国外先进水平，成功出口到美国GE交通、瑞士ABB、德国AEG等国际公司，年出口额超过5000万元。
    申请国家专利60余项，其中发明专利45项，在国内外核心期刊发表论文30余篇，其中英文论文20余篇，SCI收录论文4篇，EI收录论文6篇。